Технічний опис IS49NLS18160A-25WBLI ISSI
Description: RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Se, Packaging: Bulk, Package / Case: 144-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 288Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Technology: RLDRAM 2, Clock Frequency: 400 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 144-TWBGA (11x18.5), Memory Interface: HSTL, Access Time: 20 ns, Memory Organization: 16M x 18.
Інші пропозиції IS49NLS18160A-25WBLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS49NLS18160A-25WBLI | Виробник : ISSI |
 288Mb Separate I/O RLDRAM |
товар відсутній |
||
| IS49NLS18160A-25WBLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Se Packaging: Bulk Package / Case: 144-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 288Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: RLDRAM 2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 144-TWBGA (11x18.5) Memory Interface: HSTL Access Time: 20 ns Memory Organization: 16M x 18 |
товар відсутній |
||
| IS49NLS18160A-25WBLI | Виробник : ISSI | DRAM RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Separate I/O, 400MHz, tRC=20ns, RoHS, Ind. Temp |
товар відсутній |