Продукція > ISSI > IS49NLC18160-33BL
IS49NLC18160-33BL

IS49NLC18160-33BL ISSI


135881958561424rldram_288mcio.pdf Виробник: ISSI
DRAM Chip DDR RLDRAM2 288Mbit 16Mx18 1.8V 144-Pin FCBGA
товару немає в наявності

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS49NLC18160-33BL ISSI

Description: IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 144-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 288Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Technology: RLDRAM 2, Clock Frequency: 300 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 144-TWBGA (11x18.5), Part Status: Active, Memory Interface: Parallel, Access Time: 20 ns, Memory Organization: 16M x 18, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції IS49NLC18160-33BL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IS49NLC18160-33BL IS49NLC18160-33BL Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc RLDRAM_288MCIO.pdf Description: IC DRAM 288MBIT PAR 144TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 144-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 288Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: RLDRAM 2
Clock Frequency: 300 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 144-TWBGA (11x18.5)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 16M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
IS49NLC18160-33BL IS49NLC18160-33BL Виробник : ISSI RLDRAM_288MCIO-258707.pdf DRAM 288Mbit x18 Common I/O 300MHz RLDRAM2
товару немає в наявності