Продукція > ISSI > IS46R16160F-6TLA2
IS46R16160F-6TLA2

IS46R16160F-6TLA2 ISSI


43_46R16160_32800_83200F-462612.pdf Виробник: ISSI
DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS
на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+478.4 грн
10+ 432.2 грн
108+ 318.77 грн
216+ 305.23 грн
540+ 300.95 грн
1080+ 298.81 грн
2592+ 297.38 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS46R16160F-6TLA2 ISSI

Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TSOP66 II, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: DDR1; SDRAM, Memory: 256Mb DRAM, Memory organisation: 4Mx16bitx4, Clock frequency: 166MHz, Access time: 6ns, Case: TSOP66 II, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...105°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Supply voltage: 2.5V DC, кількість в упаковці: 108 шт.

Інші пропозиції IS46R16160F-6TLA2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IS46R16160F-6TLA2 IS46R16160F-6TLA2 Виробник : ISSI 43-46r16160-32800-83200f.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 66-Pin TSOP-II Automotive AEC-Q100
товар відсутній
IS46R16160F-6TLA2 Виробник : ISSI IS43R16160F-5BL.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TSOP66 II
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Access time: 6ns
Case: TSOP66 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Supply voltage: 2.5V DC
кількість в упаковці: 108 шт
товар відсутній
IS46R16160F-6TLA2 IS46R16160F-6TLA2 Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 43-46R16160-32800-83200F.pdf Description: IC DDR1 256MB 2.5V 166MHZ 66TSOP
товар відсутній
IS46R16160F-6TLA2 Виробник : ISSI IS43R16160F-5BL.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TSOP66 II
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Access time: 6ns
Case: TSOP66 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Supply voltage: 2.5V DC
товар відсутній