IS45S16320F-7BLA2 ISSI
Виробник: ISSIDRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1333.43 грн |
| 10+ | 1217.4 грн |
| 25+ | 1043.28 грн |
| 100+ | 903.2 грн |
| 240+ | 882.29 грн |
| 480+ | 862.08 грн |
| 1200+ | 834.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS45S16320F-7BLA2 ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TWBGA54, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: SDRAM, Memory: 512Mb DRAM, Memory organisation: 8Mx16bitx4, Clock frequency: 143MHz, Access time: 7ns, Case: TWBGA54, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...105°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Supply voltage: 3...3.6V DC, кількість в упаковці: 240 шт.
Інші пропозиції IS45S16320F-7BLA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS45S16320F-7BLA2 | Виробник : ISSI |
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V Automotive AEC-Q100 54-Pin TW-BGA |
товар відсутній |
|
| IS45S16320F-7BLA2 | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TWBGA54 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Clock frequency: 143MHz Access time: 7ns Case: TWBGA54 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 3...3.6V DC кількість в упаковці: 240 шт |
товар відсутній |
||
%20Renders/54-BGA.jpg "IS45S16320F-7BLA2") |
IS45S16320F-7BLA2 | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SDRAM 512MB 143MHZ 54BGA |
товар відсутній |
|
| IS45S16320F-7BLA2 | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 143MHz; 7ns; TWBGA54 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Clock frequency: 143MHz Access time: 7ns Case: TWBGA54 Mounting: SMD Operating temperature: -40...105°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 3...3.6V DC |
товар відсутній |