IS43TR16640CL-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 319.33 грн |
10+ | 279.24 грн |
25+ | 273.24 грн |
40+ | 255.03 грн |
190+ | 228.67 грн |
380+ | 227.83 грн |
570+ | 215.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43TR16640CL-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16640CL-125JBLI - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR3L, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 1Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.35V, Taktfrequenz, max.: 800MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 96Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IS43TR16640CL-125JBLI за ціною від 204.53 грн до 369 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IS43TR16640CL-125JBLI | Виробник : ISSI | DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s a. 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS. IT |
на замовлення 1109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IS43TR16640CL-125JBLI | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16640CL-125JBLI - DRAM, DDR3L, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR3L rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 1Gbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 800MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IS43TR16640CL-125JBLI | Виробник : ISSI | DRAM Chip DDR3L SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IS43TR16640CL-125JBLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 64Mx16bit; 1066MHz; 12.5ns; TWBGA96 Supply voltage: 1.35V DC Operating temperature: -40...95°C Mounting: SMD Memory: 1Gb DRAM Case: TWBGA96 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR3L; SDRAM Memory organisation: 64Mx16bit Access time: 12.5ns Clock frequency: 1066MHz Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel кількість в упаковці: 190 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IS43TR16640CL-125JBLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 64Mx16bit; 1066MHz; 12.5ns; TWBGA96 Supply voltage: 1.35V DC Operating temperature: -40...95°C Mounting: SMD Memory: 1Gb DRAM Case: TWBGA96 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR3L; SDRAM Memory organisation: 64Mx16bit Access time: 12.5ns Clock frequency: 1066MHz Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel |
товар відсутній |