IS43TR16256BL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 526.89 грн |
| 10+ | 466.67 грн |
| 25+ | 456.94 грн |
| 40+ | 427.37 грн |
| 190+ | 383.46 грн |
| 380+ | 371.87 грн |
| 570+ | 347.82 грн |
| 950+ | 335.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43TR16256BL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16256BL-125KBL - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR3L, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 4Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.35V, Taktfrequenz, max.: 800MHz, Betriebstemperatur, min.: 0°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 96Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IS43TR16256BL-125KBL за ціною від 341.59 грн до 758.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43TR16256BL-125KBL | Виробник : ISSI |
DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
на замовлення 4567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IS43TR16256BL-125KBL | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43TR16256BL-125KBL - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR3L rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 4Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 800MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IS43TR16256BL-125KBL | Виробник : ISSI |
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IS43TR16256BL-125KBL | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 4GbDRAM; 256Mx16bit; 1066MHz; 13.75ns; TWBGA96 Mounting: SMD Kind of package: in-tray; tube Case: TWBGA96 Kind of memory: DDR3L; SDRAM Memory organisation: 256Mx16bit Access time: 13.75ns Clock frequency: 1066MHz Kind of interface: parallel Memory: 4Gb DRAM Operating temperature: 0...95°C Supply voltage: 1.35V DC Type of integrated circuit: DRAM memory кількість в упаковці: 190 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
IS43TR16256BL-125KBL | Виробник : ISSI |
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IS43TR16256BL-125KBL | Виробник : ISSI |
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IS43TR16256BL-125KBL | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 4GbDRAM; 256Mx16bit; 1066MHz; 13.75ns; TWBGA96 Mounting: SMD Kind of package: in-tray; tube Case: TWBGA96 Kind of memory: DDR3L; SDRAM Memory organisation: 256Mx16bit Access time: 13.75ns Clock frequency: 1066MHz Kind of interface: parallel Memory: 4Gb DRAM Operating temperature: 0...95°C Supply voltage: 1.35V DC Type of integrated circuit: DRAM memory |
товар відсутній |