IS43TR16128C-125KBL-TR ISSI
Виробник: ISSIDRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s a. 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 531.36 грн |
| 10+ | 482.55 грн |
| 25+ | 410.47 грн |
| 100+ | 367.59 грн |
| 250+ | 356.35 грн |
| 500+ | 338.78 грн |
| 1000+ | 326.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43TR16128C-125KBL-TR ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 2GbDRAM; 128Mx16bit; 933MHz; 13.75ns; TWBGA96, Mounting: SMD, Operating temperature: 0...95°C, Kind of package: reel; tape, Kind of interface: parallel, Case: TWBGA96, Memory: 2Gb DRAM, Supply voltage: 1.5V DC, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: DDR3; SDRAM, Memory organisation: 128Mx16bit, Access time: 13.75ns, Clock frequency: 933MHz, кількість в упаковці: 1500 шт.
Інші пропозиції IS43TR16128C-125KBL-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS43TR16128C-125KBL-TR | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 2GbDRAM; 128Mx16bit; 933MHz; 13.75ns; TWBGA96 Mounting: SMD Operating temperature: 0...95°C Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Case: TWBGA96 Memory: 2Gb DRAM Supply voltage: 1.5V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR3; SDRAM Memory organisation: 128Mx16bit Access time: 13.75ns Clock frequency: 933MHz кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||
 |
IS43TR16128C-125KBL-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96TWBGA |
товар відсутній |
|
| IS43TR16128C-125KBL-TR | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 2GbDRAM; 128Mx16bit; 933MHz; 13.75ns; TWBGA96 Mounting: SMD Operating temperature: 0...95°C Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Case: TWBGA96 Memory: 2Gb DRAM Supply voltage: 1.5V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR3; SDRAM Memory organisation: 128Mx16bit Access time: 13.75ns Clock frequency: 933MHz |
товар відсутній |