Технічний опис IS43R16160F-5TL-TR ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TSOP66 II, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: DDR1; SDRAM, Memory: 256Mb DRAM, Memory organisation: 4Mx16bitx4, Clock frequency: 200MHz, Access time: 5ns, Case: TSOP66 II, Mounting: SMD, Operating temperature: 0...70°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: reel; tape, Supply voltage: 2.5V DC, кількість в упаковці: 1500 шт.
Інші пропозиції IS43R16160F-5TL-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS43R16160F-5TL-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TSOP66 II Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR1; SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Clock frequency: 200MHz Access time: 5ns Case: TSOP66 II Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.5V DC кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
IS43R16160F-5TL-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IS43R16160F-5TL-TR | Виробник : ISSI |
![]() |
товар відсутній |
|
IS43R16160F-5TL-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TSOP66 II Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR1; SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Clock frequency: 200MHz Access time: 5ns Case: TSOP66 II Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.5V DC |
товар відсутній |