Продукція > IS4 > IS43R16160B-6TL

IS43R16160B-6TL


43-46R83200B-16160B.pdf Виробник:

на замовлення 2080 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS43R16160B-6TL

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43R16160B-6TL - DRAM, DDR, 256 Mbit, 4 BLK (4M x 16), 166 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s), tariffCode: 85423231, DRAM-Ausführung: DDR, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, hazardous: false, DRAM-Dichte: 256, MSL: MSL 5 - 48 Stunden, Zugriffszeit: 700, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, nom.: 2.5, Betriebstemperatur, min.: 0, Taktfrequenz: 166, euEccn: NLR, Seitengröße: 256, Anzahl der Pins: 66, Produktpalette: IS43R, Betriebstemperatur, max.: 70, Speicherkonfiguration DRAM: 4 BLK (4M x 16), SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).

Інші пропозиції IS43R16160B-6TL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IS43R16160B-6TL IS43R16160B-6TL Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) 43-46R83200B-16160B.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43R16160B-6TL - DRAM, DDR, 256 Mbit, 4 BLK (4M x 16), 166 MHz, TSOP-II, 66 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: DDR
Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II
hazardous: false
DRAM-Dichte: 256
MSL: MSL 5 - 48 Stunden
Zugriffszeit: 700
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 2.5
Betriebstemperatur, min.: 0
Taktfrequenz: 166
euEccn: NLR
Seitengröße: 256
Anzahl der Pins: 66
Produktpalette: IS43R
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicherkonfiguration DRAM: 4 BLK (4M x 16)
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
товар відсутній
IS43R16160B-6TL IS43R16160B-6TL Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 43-46R83200B-16160B.pdf Description: IC DDR SDRAM 256MBIT 66TSOP
товар відсутній