Технічний опис IS43LR16640A-5BL-TR ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C, Mounting: SMD, Case: TWBGA60, Kind of package: reel; tape, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: LPDDR; SDRAM, Memory organisation: 16Mx16bitx4, Access time: 5ns, Clock frequency: 200MHz, Kind of interface: parallel, Memory: 1Gb DRAM, Operating temperature: 0...70°C, Supply voltage: 1.7...1.95V DC, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції IS43LR16640A-5BL-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS43LR16640A-5BL-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C Mounting: SMD Case: TWBGA60 Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: LPDDR; SDRAM Memory organisation: 16Mx16bitx4 Access time: 5ns Clock frequency: 200MHz Kind of interface: parallel Memory: 1Gb DRAM Operating temperature: 0...70°C Supply voltage: 1.7...1.95V DC кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
IS43LR16640A-5BL-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товар відсутній |
|
IS43LR16640A-5BL-TR | Виробник : ISSI |
![]() |
товар відсутній |
||
IS43LR16640A-5BL-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C Mounting: SMD Case: TWBGA60 Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: LPDDR; SDRAM Memory organisation: 16Mx16bitx4 Access time: 5ns Clock frequency: 200MHz Kind of interface: parallel Memory: 1Gb DRAM Operating temperature: 0...70°C Supply voltage: 1.7...1.95V DC |
товар відсутній |