Продукція > ISSI > IS43LD16640C-18BLI

IS43LD16640C-18BLI ISSI

Виробник: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 533MHz; 18ns; TFBGA134
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: TFBGA134
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC
Clock frequency: 533MHz
Memory: 1Gb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8Mx16bitx8
Kind of memory: LPDDR2; SDRAM
Access time: 18ns
кількість в упаковці: 171 шт

товар відсутній

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IS43LD16640C-18BLI ISSI

Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 533MHz; 18ns; TFBGA134, Type of integrated circuit: DRAM memory, Case: TFBGA134, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC, Clock frequency: 533MHz, Memory: 1Gb DRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 8Mx16bitx8, Kind of memory: LPDDR2; SDRAM, Access time: 18ns, кількість в упаковці: 171 шт.

Інші пропозиції IS43LD16640C-18BLI

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
IS43LD16640C-18BLI	Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA	товар відсутній
IS43LD16640C-18BLI	Виробник : ISSI	DRAM 1G 64Mx16 533MHz LPDDR2 1.2/1.8V	товар відсутній
IS43LD16640C-18BLI	Виробник : ISSI	Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 533MHz; 18ns; TFBGA134 Type of integrated circuit: DRAM memory Case: TFBGA134 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC Clock frequency: 533MHz Memory: 1Gb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 8Mx16bitx8 Kind of memory: LPDDR2; SDRAM Access time: 18ns	товар відсутній