![IS43DR86400E-3DBLI IS43DR86400E-3DBLI](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/21/706%3B-60TWBGA-1.1-10x8%3B-%3B-60.jpg)
IS43DR86400E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
![43-46DR86400E-16320E.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 333 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 450 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 277.42 грн |
10+ | 243.85 грн |
25+ | 239.16 грн |
40+ | 222.81 грн |
80+ | 220.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43DR86400E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 60-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Technology: SDRAM - DDR2, Clock Frequency: 333 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 450 ps, Memory Organization: 64M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS43DR86400E-3DBLI за ціною від 235.56 грн до 301.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS43DR86400E-3DBLI | Виробник : ISSI |
![]() |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
IS43DR86400E-3DBLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Memory: 512Mb DRAM Case: TWBGA60 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory organisation: 16Mx8bitx4 Access time: 15ns Clock frequency: 333MHz Kind of package: in-tray; tube кількість в упаковці: 242 шт |
товар відсутній |
||||||||||
IS43DR86400E-3DBLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Memory: 512Mb DRAM Case: TWBGA60 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory organisation: 16Mx8bitx4 Access time: 15ns Clock frequency: 333MHz Kind of package: in-tray; tube |
товар відсутній |