IS43DR86400E-3DBLI-TR ISSI
Виробник: ISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Memory: 512Mb DRAM
Case: TWBGA60
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Access time: 15ns
Clock frequency: 333MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43DR86400E-3DBLI-TR ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Memory: 512Mb DRAM, Case: TWBGA60, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Memory organisation: 16Mx8bitx4, Access time: 15ns, Clock frequency: 333MHz, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції IS43DR86400E-3DBLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43DR86400E-3DBLI-TR | Виробник : ISSI |
DRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V |
товар відсутній |
|
| IS43DR86400E-3DBLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Memory: 512Mb DRAM Case: TWBGA60 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory organisation: 16Mx8bitx4 Access time: 15ns Clock frequency: 333MHz Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |