на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 448.81 грн |
| 10+ | 404.73 грн |
| 25+ | 344.97 грн |
| 100+ | 307.34 грн |
| 242+ | 305.94 грн |
| 484+ | 287.13 грн |
| 968+ | 274.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43DR86400E-25DBLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Memory: 512Mb DRAM, Case: TWBGA60, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Memory organisation: 16Mx8bitx4, Access time: 12.5ns, Clock frequency: 400MHz, Kind of package: in-tray; tube, кількість в упаковці: 242 шт.
Інші пропозиції IS43DR86400E-25DBLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43DR86400E-25DBLI | Виробник : ISSI |
 DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA |
товар відсутній |
|
| IS43DR86400E-25DBLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Memory: 512Mb DRAM Case: TWBGA60 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory organisation: 16Mx8bitx4 Access time: 12.5ns Clock frequency: 400MHz Kind of package: in-tray; tube кількість в упаковці: 242 шт |
товар відсутній |
||
%20Renders/706;-60TWBGA-1.1-10x8;-;-60.jpg "IS43DR86400E-25DBLI") |
IS43DR86400E-25DBLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA |
товар відсутній |
|
| IS43DR86400E-25DBLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Memory: 512Mb DRAM Case: TWBGA60 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory organisation: 16Mx8bitx4 Access time: 12.5ns Clock frequency: 400MHz Kind of package: in-tray; tube |
товар відсутній |