IS43DR86400E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 239.73 грн |
| 10+ | 209.44 грн |
| 25+ | 204.86 грн |
| 40+ | 191.22 грн |
| 80+ | 171.44 грн |
| 242+ | 170.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43DR86400E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 60-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Technology: SDRAM - DDR2, Clock Frequency: 400 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 400 ps, Memory Organization: 64M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS43DR86400E-25DBL за ціною від 160.99 грн до 260.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43DR86400E-25DBL | Виробник : ISSI |
DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IS43DR86400E-25DBL | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Mounting: SMD Operating temperature: 0...85°C Kind of interface: parallel Memory: 512Mb DRAM Case: TWBGA60 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory organisation: 16Mx8bitx4 Access time: 12.5ns Clock frequency: 400MHz Kind of package: in-tray; tube кількість в упаковці: 242 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IS43DR86400E-25DBL | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Mounting: SMD Operating temperature: 0...85°C Kind of interface: parallel Memory: 512Mb DRAM Case: TWBGA60 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory organisation: 16Mx8bitx4 Access time: 12.5ns Clock frequency: 400MHz Kind of package: in-tray; tube |
товар відсутній |