Технічний опис IS43DR16160B-3DBLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA84, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Memory: 256Mb DRAM, Memory organisation: 4Mx16bitx4, Clock frequency: 333MHz, Access time: 15ns, Case: TWBGA84, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, кількість в упаковці: 209 шт.
Інші пропозиції IS43DR16160B-3DBLI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS43DR16160B-3DBLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA84 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Clock frequency: 333MHz Access time: 15ns Case: TWBGA84 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 1.7...1.9V DC кількість в упаковці: 209 шт |
товар відсутній |
||
|
IS43DR16160B-3DBLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IS43DR16160B-3DBLI | Виробник : ISSI |
![]() |
товар відсутній |
|
IS43DR16160B-3DBLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA84 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Clock frequency: 333MHz Access time: 15ns Case: TWBGA84 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 1.7...1.9V DC |
товар відсутній |