Технічний опис IS42VM32200M-75BLI-TR ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90, Supply voltage: 1.7...1.95V DC, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape, Kind of interface: parallel, Memory: 64Mb DRAM, Case: TFBGA90, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: SDRAM, Memory organisation: 512kx32bitx4, Access time: 7.5ns, Clock frequency: 133MHz, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції IS42VM32200M-75BLI-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS42VM32200M-75BLI-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90 Supply voltage: 1.7...1.95V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 64Mb DRAM Case: TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 512kx32bitx4 Access time: 7.5ns Clock frequency: 133MHz кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
IS42VM32200M-75BLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товар відсутній |
|
IS42VM32200M-75BLI-TR | Виробник : ISSI |
![]() |
товар відсутній |
||
IS42VM32200M-75BLI-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90 Supply voltage: 1.7...1.95V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 64Mb DRAM Case: TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 512kx32bitx4 Access time: 7.5ns Clock frequency: 133MHz |
товар відсутній |