Технічний опис IS42SM32200M-6BLI-TR ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90, Supply voltage: 3...3.6V DC, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape, Kind of interface: parallel, Memory: 64Mb DRAM, Case: TFBGA90, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: SDRAM, Memory organisation: 512kx32bitx4, Access time: 6ns, Clock frequency: 166MHz, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції IS42SM32200M-6BLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS42SM32200M-6BLI-TR | Виробник : ISSI |
 Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90 Supply voltage: 3...3.6V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 64Mb DRAM Case: TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 512kx32bitx4 Access time: 6ns Clock frequency: 166MHz кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
%20Renders/90-BGA%2013x8.jpg "IS42SM32200M-6BLI-TR") |
IS42SM32200M-6BLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SDRAM 64MBIT 90BGA |
товар відсутній |
|
| IS42SM32200M-6BLI-TR | Виробник : ISSI |
DRAM 64M, 3.3V, M-SDRAM 2Mx32, 133Mhz, RoHS |
товар відсутній |
||
| IS42SM32200M-6BLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90 Supply voltage: 3...3.6V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 64Mb DRAM Case: TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 512kx32bitx4 Access time: 6ns Clock frequency: 166MHz |
товар відсутній |