IS42SM32160E-75BLI-TR ISSI
![IS42RM32160E-75BLI.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: SDRAM
Access time: 7.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Clock frequency: 133MHz
Memory capacity: 512Mb
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS42SM32160E-75BLI-TR ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C, Supply voltage: 2.7...3.6V DC, Kind of package: reel; tape, Operating temperature: -40...85°C, Kind of memory: SDRAM, Access time: 7.5ns, Type of integrated circuit: DRAM memory, Clock frequency: 133MHz, Memory capacity: 512Mb, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 4Mx32bitx4, Case: TFBGA90, Mounting: SMD, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції IS42SM32160E-75BLI-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS42SM32160E-75BLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IS42SM32160E-75BLI-TR | Виробник : ISSI |
![]() |
товар відсутній |
|
IS42SM32160E-75BLI-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C Supply voltage: 2.7...3.6V DC Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...85°C Kind of memory: SDRAM Access time: 7.5ns Type of integrated circuit: DRAM memory Clock frequency: 133MHz Memory capacity: 512Mb Kind of interface: parallel Memory organisation: 4Mx32bitx4 Case: TFBGA90 Mounting: SMD |
товар відсутній |