IS42S32160F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 167 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 16M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1049.14 грн |
| 10+ | 935.18 грн |
| 25+ | 922.54 грн |
| 40+ | 854.87 грн |
| 80+ | 749.18 грн |
| 240+ | 717.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS42S32160F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: SDRAM, Memory: 512Mb DRAM, Memory organisation: 4Mx32bitx4, Clock frequency: 167MHz, Access time: 6ns, Case: TFBGA90, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Supply voltage: 3...3.6V DC, кількість в упаковці: 240 шт.
Інші пропозиції IS42S32160F-6BLI за ціною від 661.8 грн до 1106.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS42S32160F-6BLI | Виробник : ISSI |
DRAM SDRAM,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IS42S32160F-6BLI | Виробник : ISSI |
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
IS42S32160F-6BLI | Виробник : ISSI |
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IS42S32160F-6BLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 4Mx32bitx4 Clock frequency: 167MHz Access time: 6ns Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 3...3.6V DC кількість в упаковці: 240 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IS42S32160F-6BLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 4Mx32bitx4 Clock frequency: 167MHz Access time: 6ns Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 3...3.6V DC |
товар відсутній |