Технічний опис IS42S32160F-6BL-TR ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: SDRAM, Memory: 512Mb DRAM, Memory organisation: 4Mx32bitx4, Clock frequency: 167MHz, Access time: 6ns, Case: TFBGA90, Mounting: SMD, Operating temperature: 0...70°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: reel; tape, Supply voltage: 3...3.6V DC, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції IS42S32160F-6BL-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IS42S32160F-6BL-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 4Mx32bitx4 Clock frequency: 167MHz Access time: 6ns Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel; tape Supply voltage: 3...3.6V DC кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
IS42S32160F-6BL-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IS42S32160F-6BL-TR | Виробник : ISSI |
![]() |
товар відсутній |
|
IS42S32160F-6BL-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 4Mx32bitx4 Clock frequency: 167MHz Access time: 6ns Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel; tape Supply voltage: 3...3.6V DC |
товар відсутній |