на замовлення 13572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 348+ | 244.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS42S16160J-6BLI ISSI
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 54-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SDRAM, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8), Part Status: Active, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5.4 ns, Memory Organization: 16M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS42S16160J-6BLI за ціною від 171.5 грн до 291.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS42S16160J-6BLI | Виробник : ISSI |
 DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA |
на замовлення 13572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IS42S16160J-6BLI | Виробник : ISSI |
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA |
на замовлення 13572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IS42S16160J-6BLI | Виробник : ISSI |
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT |
на замовлення 32012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IS42S16160J-6BLI | Виробник : Integrated Silicon Solution Inc. |
SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz; 5.4ns; 3V~3,6V; -40°C~85°C; IS42S16160J-6BLI; IS42S16160J-6BLI-TR; 42S16160J-6BLI; 42S16160J-6BLI-TR; IS42S16160J-6BLI PSIS42S16160J-6BLI-TR кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IS42S16160J-6BLI | Виробник : ISSI |
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IS42S16160J-6BLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA54 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Clock frequency: 166MHz Access time: 6ns Case: TFBGA54 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 3...3.6V DC кількість в упаковці: 348 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
IS42S16160J-6BLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TFBGA (8x8) Part Status: Active Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 16M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IS42S16160J-6BLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA54 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Clock frequency: 166MHz Access time: 6ns Case: TFBGA54 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 3...3.6V DC |
товар відсутній |