Продукція > IR > IRS2332SPBF

IRS2332SPBF


fundamentals-of-power-semiconductors Виробник: IR
10+ SOP
на замовлення 4180 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRS2332SPBF IR

Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V, Supplier Device Package: 28-SOIC, Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 35ns, Channel Type: 3-Phase, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 6, Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V, Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції IRS2332SPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRS2332SPBF IRS2332SPBF Виробник : Infineon Technologies 561802839868512irs2330pbf.pdffileid5546d462533600a40153567aa12b2806.pdffileid554.pdf Driver 600V 6-OUT High and Low Side Half Brdg Inv 28-Pin SOIC W Tube
товар відсутній
IRS2332SPBF IRS2332SPBF Виробник : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 35ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
IRS2332SPBF IRS2332SPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRS233_DS_v02_00_EN-2322430.pdf Gate Drivers 3-Phase Bridge DRVR 600V 200mA 500ns
товар відсутній