IRS2118STRPBF Infineon Technologies
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 75.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRS2118STRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRS2118STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 105ms Verzögerung, NSOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 600mA, Treiberkonfiguration: High-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC, Eingang: Invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 125ms, Ausgabeverzögerung: 105ms, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRS2118STRPBF за ціною від 54.27 грн до 146.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRS2118STRPBF | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRS2118STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 105ms Verzögerung, NSOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 125ms Ausgabeverzögerung: 105ms Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRS2118STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRS2118STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Gate Drivers Sngl Hi Sd Drvr NonInvrt Inpt |
на замовлення 1263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRS2118STRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRS2118STRPBF - MOSFET-Treiber, High-Side, 10V bis 20V Versorgung, 600mAout, 105ms Verzögerung, NSOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 125ms Ausgabeverzögerung: 105ms Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRS2118STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRS2118STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Driver 600V 0.6A 1-OUT High Side/Low Side Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRS2118STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRS2118STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns Channel Type: Single Driven Configuration: High-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |