![IRS2011PBF IRS2011PBF](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/34a7181695ad879bd1b0707ca928b34625ff2d77/8-leaddip.jpg_472149771.jpg)
IRS2011PBF Infineon Technologies
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
181+ | 66.8 грн |
186+ | 65.09 грн |
203+ | 59.67 грн |
207+ | 56.28 грн |
500+ | 52.02 грн |
1000+ | 47.44 грн |
2000+ | 45.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRS2011PBF Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Voltage - Supply: 10V ~ 20V, Input Type: Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V, Supplier Device Package: 8-PDIP, Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 15ns, Channel Type: Independent, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V, Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A, Part Status: Last Time Buy, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IRS2011PBF за ціною від 89.25 грн до 209.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 8900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3037 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRS2011PBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Power: 1W Mounting: THT Supply voltage: 10...20V DC Number of channels: 2 Case: DIP8 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Output current: -1...1A Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Turn-on time: 85ns Turn-off time: 75ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 15ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A Part Status: Last Time Buy DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRS2011PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Power: 1W Mounting: THT Supply voltage: 10...20V DC Number of channels: 2 Case: DIP8 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Output current: -1...1A Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Turn-on time: 85ns Turn-off time: 75ns |
товар відсутній |