![IRS2005STRPBF IRS2005STRPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2016/5/9/3/33/0/920/smn_/manual/8-lead-soic.jpg)
IRS2005STRPBF Infineon Technologies
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 25.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRS2005STRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRS2005STRPBF - MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 160ns/150ns Ein/Aus, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 600mA, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 160ns, Ausgabeverzögerung: 150ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRS2005STRPBF за ціною від 21.94 грн до 71.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRS2005STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 30ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 42500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRS2005STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRS2005STRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRS2005STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRS2005STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRS2005STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRS2005STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRS2005STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 30ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 43871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRS2005STRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRS2005STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRS2005STRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRS2005STRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Power: 625mW Mounting: SMD Supply voltage: 10...20V DC Number of channels: 2 Case: SO8 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Output current: -600...290mA Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRS2005STRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Power: 625mW Mounting: SMD Supply voltage: 10...20V DC Number of channels: 2 Case: SO8 Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Output current: -600...290mA Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns |
товар відсутній |