Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLZ34NSTRLPBF

IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

Name: IRLZ34NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 273849-7
Price: 22.47 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 40800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
800+	22.47 грн

Мінімальне замовлення: 800

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRLZ34NSTRLPBF за ціною від 26.31 грн до 143.63 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IRLZ34NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 40800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
800+	26.57 грн
1600+	26.31 грн

Мінімальне замовлення: 800

IRLZ34NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 40800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
800+	28.78 грн
1600+	28.5 грн

Мінімальне замовлення: 800

IRLZ34NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722

Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V

на замовлення 28800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
800+	36.65 грн
1600+	34.91 грн

Мінімальне замовлення: 800

IRLZ34NSTRLPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 15289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	42.03 грн
250+	38.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

IRLZ34NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
199+	61.67 грн
208+	58.81 грн
233+	52.49 грн

Мінімальне замовлення: 199

IRLZ34NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
198+	61.97 грн
212+	57.88 грн
251+	48.9 грн
257+	46 грн
500+	37.28 грн

Мінімальне замовлення: 198

IRLZ34NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V

на замовлення 29436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	67.91 грн
10+	53.49 грн
100+	41.64 грн

Мінімальне замовлення: 5

IRLZ34NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 732 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
9+	71.56 грн
11+	57.54 грн
25+	53.75 грн
100+	43.78 грн
250+	39.55 грн
500+	33.23 грн

Мінімальне замовлення: 9

IRLZ34NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRLZ34NS_DataSheet_v01_01_EN-3363701.pdf

MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl

на замовлення 2794 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	73.49 грн
10+	56.62 грн
100+	40.21 грн
500+	39.36 грн
800+	35.13 грн

Мінімальне замовлення: 5

IRLZ34NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 6331 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
158+	77.57 грн
170+	72.05 грн
202+	60.74 грн
214+	55.33 грн
500+	51.05 грн
1000+	44.3 грн
1600+	43.25 грн
3200+	41.5 грн

Мінімальне замовлення: 158

IRLZ34NSTRLPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 15079 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	80.71 грн
13+	63.23 грн
50+	54.28 грн
100+	42.03 грн
250+	38.05 грн

Мінімальне замовлення: 10

IRLZ34NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
114+	107.74 грн
119+	102.92 грн
250+	98.8 грн
500+	91.82 грн
1000+	82.25 грн

Мінімальне замовлення: 114

IRLZ34NSTRLPBF

Виробник : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 5 В; Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,8; 68; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK

на замовлення 11 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	143.63 грн
10+	134.05 грн
100+	124.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

IRLZ34NSTRLPBF
Код товару: 172480

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IRLZ34NSTRLPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт

товар відсутній

IRLZ34NSTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товар відсутній

IRLZ34NSTRLPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

товар відсутній