IRLZ24NS

IRLZ24NS


irlz24ns-datasheet.pdf
Код товару: 99543
Виробник: IR
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Примітка: Управління логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRLZ24NS

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLZ24NS IRLZ24NS Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRLZ24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633d69489b467d Description: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товар відсутній