IRLU7843PBF Infineon Technologies
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLU7843PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.
Інші пропозиції IRLU7843PBF за ціною від 53.54 грн до 138.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLU7843PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLU7843PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLU7843PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLU7843PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 30V 161A 3.3mOhm 34nC Log Lvl |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLU7843PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRLU7843PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU7843PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 0.0033 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 161 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 140 Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.3 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRLU7843PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 161A Power dissipation: 140W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRLU7843PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 161A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRLU7843PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 161A Power dissipation: 140W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
товар відсутній |