IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 8.3, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: TSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: HEXFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRLTS6342TRPBF за ціною від 8.73 грн до 45.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 25 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLTS6342TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 8.3 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1 euEccn: NLR Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 5358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLTS6342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.3A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 8.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 25 V |
на замовлення 9537 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable |
на замовлення 9242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.3A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1533 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLTS6342TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 8.3 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 2 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1 Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 5358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLTS6342TRPBF |
IRLTS6342TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 110 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRLTS6342TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 6-Pin TSOP T/R |
товар відсутній |