IRLS640A ON Semiconductor
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 55.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLS640A ON Semiconductor
Description: ONSEMI - IRLS640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції IRLS640A за ціною від 45.57 грн до 150.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLS640A | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLS640A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLS640A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRLS640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 1168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRLS640A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLS640A | Виробник : FAIRCHILD |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
IRLS640A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRLS640A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.9A, 5V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |