IRLS4030TRL7PP Infineon Technologies
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 112.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLS4030TRL7PP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRLS4030TRL7PP за ціною від 125.75 грн до 384.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLS4030TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLS4030TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLS4030TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLS4030TRL7PP | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLS4030TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLS4030TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLS4030TRL7PP | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLS4030TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 190A 3.9mOhm 93nC-7 |
на замовлення 1627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLS4030TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLS4030TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLS4030TRL7PP | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRLS4030TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRLS4030TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |