на замовлення 7730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 288.7 грн |
| 10+ | 255.88 грн |
| 100+ | 182.56 грн |
| 500+ | 156.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLS3813TRLPBF Infineon / IR
Description: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263AB), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLS3813TRLPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLS3813TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 247A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
 |
IRLS3813TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 156A; 195W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 156A Power dissipation: 195W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IRLS3813TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263AB) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IRLS3813TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 156A; 195W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 156A Power dissipation: 195W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |