IRLR8729TRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRLR8729TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 56.26 грн |
| 500+ | 51.14 грн |
| 1000+ | 46.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR8729TRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8729TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 55W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 55W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRLR8729TRPBF за ціною від 46.26 грн до 57.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRLR8729TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8729TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 58 A, 0.006 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 55W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 4670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRLR8729TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
IRLR8729TRPBF Код товару: 169667 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||
 |
IRLR8729TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 58A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IRLR8729TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IRLR8729TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IRLR8729TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.9mOhms 10nC |
товар відсутній |