Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR8726TRPBF
IRLR8726TRPBF

IRLR8726TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR8726TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRLR8726TRPBF за ціною від 11.99 грн до 44.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+14.81 грн
6000+ 13.53 грн
10000+ 12.57 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.7 грн
500+ 20.06 грн
1000+ 14.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+37.19 грн
50+ 26.45 грн
57+ 15.28 грн
156+ 14.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905160-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR8726TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 86 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+37.75 грн
50+ 32.76 грн
100+ 27.7 грн
500+ 20.06 грн
1000+ 14.99 грн
Мінімальне замовлення: 21
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR8726_DataSheet_v01_01_EN-3363408.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5.8mOhms 15nC
на замовлення 21882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+40.57 грн
10+ 37.96 грн
100+ 24.05 грн
500+ 18.83 грн
1000+ 15.31 грн
2000+ 12.91 грн
10000+ 11.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Description: MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 15 V
на замовлення 17723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.26 грн
10+ 36.15 грн
100+ 25.14 грн
500+ 18.42 грн
1000+ 14.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.63 грн
50+ 32.96 грн
57+ 18.34 грн
156+ 17.37 грн
2000+ 16.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLR8726TRPBF
Код товару: 192200 		irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr8726-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 86A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній