IRLR3705ZTRPBF

IRLR3705ZTRPBF Infineon Technologies


infineon-irlr3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3705ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRLR3705ZTRPBF за ціною від 42.1 грн до 142.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+47.35 грн
10000+ 42.1 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+50.63 грн
10000+ 45.01 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+52.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+79.92 грн
500+ 60.91 грн
1000+ 46.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
114+108.04 грн
122+ 100.29 грн
145+ 84.5 грн
200+ 76.96 грн
500+ 71.07 грн
1000+ 61.68 грн
2000+ 58.1 грн
4000+ 56.7 грн
Мінімальне замовлення: 114
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3705ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+112.37 грн
10+ 87.44 грн
14+ 63.61 грн
38+ 60.14 грн
250+ 58.78 грн
500+ 58.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 4178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.75 грн
10+ 93.61 грн
100+ 74.49 грн
500+ 59.15 грн
1000+ 50.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3705Z_DataSheet_v01_01_EN-3363495.pdf MOSFETs MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl
на замовлення 9042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.91 грн
10+ 103.02 грн
100+ 71.24 грн
500+ 59.25 грн
1000+ 51.21 грн
2000+ 48.32 грн
4000+ 47.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3705ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1628 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.84 грн
10+ 108.96 грн
14+ 76.33 грн
38+ 72.17 грн
250+ 70.54 грн
500+ 69.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905729-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.0065 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+142.43 грн
10+ 106.03 грн
100+ 79.92 грн
500+ 60.91 грн
1000+ 46.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLR3705ZTRPBF
Код товару: 190163
irlr3705zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d2d17269d Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3705z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній