Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3636TRPBF
IRLR3636TRPBF

IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

irlr3636pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRLR3636TRPBF за ціною від 47.59 грн до 143.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+59.48 грн
6000+ 55.12 грн
10000+ 53.3 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+65.74 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+70.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+92.25 грн
500+ 72.41 грн
1000+ 55.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+103.29 грн
50+ 97.77 грн
100+ 92.25 грн
500+ 72.41 грн
1000+ 55.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
105+115.52 грн
193+ 62.48 грн
194+ 62.17 грн
200+ 58.5 грн
2000+ 53.99 грн
4000+ 51.23 грн
Мінімальне замовлення: 105
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3636TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+119.85 грн
5+ 90.05 грн
17+ 50.52 грн
47+ 47.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+122.54 грн
10+ 93.03 грн
25+ 51.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
на замовлення 15338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.29 грн
10+ 105.5 грн
100+ 83.98 грн
500+ 66.68 грн
1000+ 56.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3636_DataSheet_v01_01_EN-3363622.pdf MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC
на замовлення 9628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.58 грн
10+ 101.04 грн
100+ 81.53 грн
500+ 69.3 грн
1000+ 57.85 грн
2000+ 54.4 грн
4000+ 53.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3636TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+143.82 грн
5+ 112.22 грн
17+ 60.62 грн
47+ 57.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3636pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній