Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3410TRLPBF
IRLR3410TRLPBF

IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies

irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRLR3410TRLPBF за ціною від 25.62 грн до 57.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
366+33.43 грн
369+ 33.23 грн
500+ 32.52 грн
Мінімальне замовлення: 366
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+35.77 грн
500+ 31.52 грн
1500+ 27.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
249+49.27 грн
251+ 48.77 грн
318+ 38.48 грн
321+ 36.74 грн
500+ 29.21 грн
1000+ 27.71 грн
Мінімальне замовлення: 249
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+50.72 грн
50+ 43.28 грн
100+ 35.77 грн
500+ 31.52 грн
1500+ 27.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 40660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.41 грн
10+ 41.88 грн
100+ 32.56 грн
500+ 25.9 грн
1000+ 25.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+55.9 грн
14+ 45.75 грн
25+ 45.29 грн
100+ 34.46 грн
250+ 31.59 грн
500+ 26.04 грн
1000+ 25.73 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN-3363598.pdf MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
на замовлення 4261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.44 грн
10+ 46.08 грн
100+ 31.18 грн
500+ 27.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLR3410TRLPBF (транзистор) IRLR3410TRLPBF (транзистор)
Код товару: 89552 		Виробник : IR irlr3410pbf-223115.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRLR3410TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRLR3410TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній