Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3110ZTRPBF
IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRLR3110ZTRPBF за ціною від 37.12 грн до 141.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+37.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+52.17 грн
4000+ 44.33 грн
6000+ 43.88 грн
10000+ 41.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+57.64 грн
6000+ 53.41 грн
10000+ 51.65 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+59.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+63.09 грн
4000+ 61.36 грн
10000+ 60.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+72.98 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
152+80.92 грн
153+ 80.12 грн
171+ 71.87 грн
250+ 68.9 грн
500+ 58.36 грн
1000+ 51.7 грн
Мінімальне замовлення: 152
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+81.22 грн
10+ 75.14 грн
25+ 74.39 грн
100+ 64.35 грн
250+ 59.24 грн
500+ 52.02 грн
1000+ 48.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+89.42 грн
500+ 72.08 грн
1000+ 57.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.66 грн
10+ 80.83 грн
16+ 56.58 грн
43+ 53.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
117+104.98 грн
124+ 99.38 грн
142+ 86.32 грн
200+ 79.41 грн
500+ 71.44 грн
1000+ 62.9 грн
2000+ 60.36 грн
Мінімальне замовлення: 117
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+113.95 грн
50+ 102.08 грн
100+ 89.42 грн
500+ 72.08 грн
1000+ 57.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.39 грн
10+ 100.72 грн
16+ 67.89 грн
43+ 64.37 грн
2000+ 61.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 12884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.19 грн
10+ 102.21 грн
100+ 81.37 грн
500+ 64.62 грн
1000+ 54.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN-3363646.pdf MOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC
на замовлення 11146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.43 грн
10+ 113.57 грн
100+ 78.3 грн
250+ 71.95 грн
500+ 65.25 грн
1000+ 59.18 грн
2000+ 51.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
87+141.81 грн
90+ 136.41 грн
100+ 131.78 грн
250+ 123.22 грн
500+ 110.99 грн
1000+ 103.94 грн
2500+ 101.65 грн
5000+ 99.63 грн
Мінімальне замовлення: 87