Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3110ZTRLPBF

IRLR3110ZTRLPBF Infineon Technologies

Name: IRLR3110ZTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 12143-7
Price: 36.62 UAH
Availability: InStock

infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	36.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRLR3110ZTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 140W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRLR3110ZTRLPBF за ціною від 50.74 грн до 96.29 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IRLR3110ZTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	53.17 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IRLR3110ZTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a

Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	56.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IRLR3110ZTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	56.85 грн

Мінімальне замовлення: 3000

IRLR3110ZTRLPBF

Виробник : INFINEON

IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	67.89 грн
500+	56.95 грн
1500+	51.48 грн

Мінімальне замовлення: 100

IRLR3110ZTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
9+	70.52 грн
12+	52.33 грн

Мінімальне замовлення: 9

IRLR3110ZTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 5965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
172+	71.34 грн

Мінімальне замовлення: 172

IRLR3110ZTRLPBF

Виробник : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 8317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	85.46 грн
50+	76.76 грн
100+	67.89 грн
500+	56.95 грн
1500+	51.48 грн

Мінімальне замовлення: 10

IRLR3110ZTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 4660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
137+	89.48 грн
144+	85.48 грн
250+	82.05 грн
500+	76.27 грн
1000+	68.31 грн
2500+	63.64 грн

Мінімальне замовлення: 137

IRLR3110ZTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V

на замовлення 12327 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	94.62 грн
10+	75.24 грн
100+	59.88 грн
500+	50.74 грн

Мінімальне замовлення: 4

IRLR3110ZTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN-3363646.pdf

MOSFETs MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl

на замовлення 42773 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	96.29 грн
10+	78.44 грн
100+	54.81 грн
500+	51.42 грн

Мінімальне замовлення: 4

IRLR3110ZTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

IRLR3110ZTRLPBF
Код товару: 156274

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

IRLR3110ZTRLPBF

Виробник : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

IRLR3110ZTRLPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 250A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт

товар відсутній

IRLR3110ZTRLPBF

Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES

товар відсутній