Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3105TRPBF
IRLR3105TRPBF

IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRLR3105TRPBF за ціною від 26.61 грн до 96.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+31.77 грн
4000+ 30.25 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+33.43 грн
6000+ 30.66 грн
10000+ 29.24 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+33.97 грн
4000+ 32.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+53.57 грн
500+ 34.39 грн
1000+ 27.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+75.37 грн
10+ 63.34 грн
100+ 50.51 грн
500+ 42.45 грн
1000+ 31.67 грн
2000+ 28.45 грн
4000+ 26.91 грн
10000+ 26.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
154+79.81 грн
162+ 75.73 грн
189+ 64.82 грн
200+ 59.16 грн
500+ 42.95 грн
1000+ 38.7 грн
Мінімальне замовлення: 154
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 19687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.88 грн
10+ 63.71 грн
100+ 49.52 грн
500+ 39.39 грн
1000+ 32.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
151+81.17 грн
Мінімальне замовлення: 151
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+84.09 грн
10+ 82.09 грн
25+ 80.1 грн
100+ 75.32 грн
250+ 67.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR3105_DataSheet_v01_01_EN-3363513.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
на замовлення 24082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.06 грн
10+ 70.66 грн
100+ 47.9 грн
500+ 40.56 грн
1000+ 33.08 грн
2000+ 31.11 грн
4000+ 29.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
139+88.41 грн
142+ 86.27 грн
146+ 84.12 грн
250+ 79.06 грн
Мінімальне замовлення: 139
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+96.54 грн
11+ 74.46 грн
100+ 53.57 грн
500+ 34.39 грн
1000+ 27.2 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr3105-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній