Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR2905ZTRPBF
IRLR2905ZTRPBF

IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR2905ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRLR2905ZTRPBF за ціною від 20.58 грн до 81.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+30.54 грн
4000+ 27.23 грн
6000+ 26.12 грн
10000+ 24.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+34.86 грн
4000+ 33.22 грн
10000+ 32.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+36.33 грн
1000+ 30.83 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+38.88 грн
1000+ 33 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+49.59 грн
500+ 38.95 грн
1000+ 31.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
195+61.88 грн
197+ 61.26 грн
234+ 51.72 грн
250+ 47.94 грн
500+ 37.4 грн
1000+ 29.45 грн
Мінімальне замовлення: 195
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+63.11 грн
11+ 57.46 грн
25+ 56.88 грн
100+ 46.31 грн
250+ 41.21 грн
500+ 33.34 грн
1000+ 27.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+67.81 грн
10+ 53.74 грн
26+ 34.04 грн
69+ 32.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905690-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR2905ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 0.011 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+69.23 грн
50+ 59.45 грн
100+ 49.59 грн
500+ 38.95 грн
1000+ 31.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr2905zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ccc09267c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
на замовлення 10538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.23 грн
10+ 56.81 грн
100+ 44.2 грн
500+ 35.16 грн
1000+ 28.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr2905z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
163+74.24 грн
165+ 73.43 грн
195+ 61.98 грн
206+ 56.57 грн
500+ 44.84 грн
1000+ 35.3 грн
2000+ 34.36 грн
Мінімальне замовлення: 163
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR2905Z_DataSheet_v01_01_EN-3363699.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 32nC
на замовлення 26801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.26 грн
10+ 62.64 грн
100+ 42.59 грн
500+ 36.13 грн
1000+ 29.45 грн
2000+ 27.83 грн
4000+ 26.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 311 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.37 грн
10+ 66.97 грн
26+ 40.85 грн
69+ 38.66 грн
1000+ 36.9 грн
Мінімальне замовлення: 4