Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR120NTRPBF
IRLR120NTRPBF

IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Можливі заміни IRLR120NTRPBF Infineon Technologies

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR120NPBF IRLR120NPBF
Код товару: 32182 		irlr120npbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 334 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+18 грн
10+ 15.9 грн
100+ 14.2 грн
Мінімальне замовлення: 3

Інші пропозиції IRLR120NTRPBF за ціною від 19.77 грн до 82.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+24.74 грн
4000+ 23.74 грн
10000+ 19.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
470+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 470
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+28.71 грн
6000+ 26.33 грн
10000+ 25.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+41.44 грн
17+ 36.9 грн
25+ 36.72 грн
100+ 31.86 грн
250+ 29.34 грн
500+ 25.89 грн
1000+ 20.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+46.2 грн
500+ 36.3 грн
1000+ 29.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+66.45 грн
8+ 51.76 грн
10+ 49.15 грн
25+ 44.43 грн
38+ 22.94 грн
103+ 21.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Description: MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 15104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.36 грн
10+ 54.66 грн
100+ 42.53 грн
500+ 33.83 грн
1000+ 27.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363444.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
на замовлення 9638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.62 грн
10+ 57.06 грн
100+ 40.28 грн
500+ 34.78 грн
1000+ 28.02 грн
2000+ 25.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
157+77.13 грн
225+ 53.77 грн
246+ 49.24 грн
247+ 47.29 грн
500+ 35.6 грн
1000+ 31.93 грн
2000+ 31.76 грн
Мінімальне замовлення: 157
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.74 грн
5+ 64.5 грн
10+ 58.98 грн
25+ 53.31 грн
38+ 27.53 грн
103+ 26.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+82.87 грн
13+ 64.26 грн
100+ 46.2 грн
500+ 36.3 грн
1000+ 29.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Транз. Пол. БМ DPAK MOSFET N-Channel U=100V I=10A Rds=185 mOhm @ 6A, 10V, 48 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.54 грн
10+ 32.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF
Код товару: 22353 		Виробник : IR irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 440/20
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
товар відсутній