IRLR024TRPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 35.99 грн |
| 6000+ | 33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLR024TRPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRLR024TRPBF за ціною від 32.65 грн до 87.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR024TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRLR024TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR024TR |
на замовлення 3383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLR024TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V |
на замовлення 6512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRLR024TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IRLR024TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRLR024TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRLR024TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| IRLR024TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| IRLR024TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |