Технічний опис IRLMS4502TR IR
Description: MOSFET P-CH 12V 5.5A MICRO6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IRLMS4502TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IRLMS4502TR | Виробник : IR | 04+ SOT-23-6 |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRLMS4502TR | Виробник : IR | SOT23-6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
IRLMS4502TR Код товару: 106343 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||
IRLMS4502TR | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 12V 5.5A MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V |
товар відсутній |