IRLML6302TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.17 грн |
| 6000+ | 7.54 грн |
| 9000+ | 6.78 грн |
| 30000+ | 6.27 грн |
| 75000+ | 5.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML6302TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRLML6302TRPBF за ціною від 5.87 грн до 32.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 77700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML6302TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6302TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML6302TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.78A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.78A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 5140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML6302TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.78A; 0.54W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.78A Power dissipation: 0.54W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML6302TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6302TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V |
на замовлення 195814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl |
на замовлення 31550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ з керуванням логічного рівня; Udss, В = 20; Id = 780 мА; Ptot, Вт = 0,54; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 97 @ 15; Qg, нКл = 3,6 @ 4,45; Rds = 600 мОм @ 610 мА, 4,5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА; SOT-23 |
на замовлення 172 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF |
p-канальний польовий транзистор SOT-23 |
на замовлення 4550 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | IRLML6302TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal |
на замовлення 95 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLML6302TRPBF - IRLML6302 20V SINGLE N-CHANNEL LEAD FRE tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRLML6302TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |