Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLML6302GTRPBF
IRLML6302GTRPBF

IRLML6302GTRPBF Infineon Technologies

irlml6302gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566883212625 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V
на замовлення 6817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2959+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 2959
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLML6302GTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 540mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V.

Інші пропозиції IRLML6302GTRPBF за ціною від 8.52 грн до 8.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLML6302GTRPBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS09610-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLML6302GTRPBF - IRLML6302 20V SINGLE N-CHANNEL LEAD FRE
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2850+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 2850
IRLML6302GTRPBF IRLML6302GTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml6302gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566883212625 Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V
товар відсутній
IRLML6302GTRPBF IRLML6302GTRPBF Виробник : Infineon Technologies irlml6302gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566883212625 Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V
товар відсутній
IRLML6302GTRPBF IRLML6302GTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLML6302GPBF_DataSheet_v01_01_EN-3363424.pdf MOSFET MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl
товар відсутній