IRLML6302TR UMW
![IRLML6302.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 780mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6302TR; IRLML6302GTR; SP001574060; SP001550492; IRLML6302TR UMW TIRLML6302 UMW
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 3.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRLML6302TR UMW
Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRLML6302TR за ціною від 6.09 грн до 9.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLML6302TR | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 4172 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||
IRLML6302TR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IRLML6302TR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IRLML6302TR | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
IRLML6302 TR | Виробник : IR |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
IRLML6302TR | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
IRLML6302TR | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V |
товар відсутній |