Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLL024ZTRPBF
IRLL024ZTRPBF

IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies

irll024z.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRLL024ZTRPBF за ціною від 15.75 грн до 114.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+16.29 грн
5000+ 15.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.51 грн
5000+ 17.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5 Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.7 грн
5000+ 17.06 грн
12500+ 15.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
394+30.12 грн
395+ 30.02 грн
500+ 29.23 грн
2500+ 27.89 грн
5000+ 25.65 грн
Мінімальне замовлення: 394
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+36.02 грн
500+ 24.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : INFINEON IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+36.4 грн
50+ 30.86 грн
100+ 25.33 грн
Мінімальне замовлення: 21
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5 Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 13735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+48.99 грн
10+ 41.05 грн
100+ 28.44 грн
500+ 22.3 грн
1000+ 18.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLL024ZTRPBF_DataSheet_v01_01_EN-3363379.pdf MOSFET MOSFT 55V 5A 60mOhm 7nC Log Lvl
на замовлення 30864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.55 грн
10+ 31.72 грн
100+ 21.29 грн
500+ 18.93 грн
1000+ 17.04 грн
2500+ 16.02 грн
5000+ 15.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irll024zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.55 грн
10+ 38.59 грн
25+ 34.64 грн
32+ 26.55 грн
86+ 25.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irll024zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.66 грн
6+ 48.09 грн
25+ 41.57 грн
32+ 31.86 грн
86+ 30.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon/IR irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5 Транз. Пол. ММ N-HEXFET logik SOT223 Udss=55V; Id=5A; Pdmax=3,8W; Rds=60 mOhmsds=0,14 Ohm
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.67 грн
10+ 31.43 грн
100+ 29.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll024z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній