Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLL014NTRPBF
IRLL014NTRPBF

IRLL014NTRPBF Infineon Technologies

infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRLL014NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IRLL014NTRPBF за ціною від 12.54 грн до 55.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.85 грн
5000+ 14.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.19 грн
5000+ 15.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.67 грн
5000+ 16.12 грн
12500+ 14.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.86 грн
5000+ 16.13 грн
10000+ 15.97 грн
25000+ 12.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+31.57 грн
500+ 25.42 грн
1000+ 17.02 грн
5000+ 16.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irll014npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.1W
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+42.73 грн
11+ 33.58 грн
50+ 27.19 грн
57+ 15.14 грн
157+ 14.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 22851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.55 грн
10+ 38.8 грн
100+ 26.87 грн
500+ 21.07 грн
1000+ 17.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRLL014N_DataSheet_v01_01_EN-3363683.pdf MOSFET MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl
на замовлення 131076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.97 грн
10+ 40.97 грн
100+ 25.68 грн
500+ 21.44 грн
1000+ 18.27 грн
2500+ 16.29 грн
5000+ 15.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irll014npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.1W
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.28 грн
10+ 41.85 грн
50+ 32.62 грн
57+ 18.16 грн
157+ 17.19 грн
7500+ 16.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irll014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
226+54.33 грн
280+ 43.83 грн
300+ 40.77 грн
301+ 39.22 грн
500+ 29.03 грн
1000+ 18.61 грн
2000+ 18.52 грн
5000+ 18.35 грн
Мінімальне замовлення: 226
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 7845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+55.23 грн
19+ 43.05 грн
100+ 29.36 грн
500+ 22.93 грн
1000+ 18.79 грн
5000+ 16.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRLL014NTRPBF Виробник : INTERNATIONAL RECTIFIER irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free
на замовлення 183 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+25.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLL014NTRPBF Виробник : IR irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf Транз. Пол. ММ N-HEXFET logik SOT223 Udss=55V; Id=2A; Pdmax=2,1W; Rds=0,14 Ohm
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.59 грн
10+ 37.86 грн
100+ 32.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLL014NTRPBF irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf IRLL014NTRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 4526 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF
Код товару: 75405 		irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній